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感光元件敏感度高、讀出雜訊(read out noise)少，也因此主導感光元件產業30餘年。
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然而，由於CMOS感光元件技術近年大幅升級，強化解析度、讀出速度，降低雜訊、價格下降等優勢，導致許多感光元件市場區塊，從CCD轉移至CMOS，包括生命科學、消費市場以及監控設備等等。
BAE Systems、CMOSIS、Sony等公司紛紛砸下重金，投資CMOS技術，並大力行銷，現在已有許多4MP以上、超過50fps，而電子讀出雜訊少的感光元件。不過，CCD並非毫無用武之地，CCD技術在要求高敏感度，與長時間曝光的應用環境下，無非是最佳選擇。
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例如活體分子影像(invivo imaging)仰賴微弱的螢光訊號，曝光時間達數分鐘甚至數小時，便適合使用CCD感光元件。同樣的，需要長時間曝光的天文應用，例如觀星也以CCD技術為佳。隨著CCD售價持續下降、效能卻不變的情況下，可望成為中階市場熱門應用。
若要回應目前市場需求，CCD感測器得改善更大波長範圍下的敏感度。傳統CCD感測器對於1，100nm以上波長缺乏敏感度，使其無法運用於短波紅外線(SWIR)鏡頭上。
不過，最新InGaAs感測器使用，與CMOS感測器類似的讀出原理，在徹底冷卻的情況下，可增強1，100nm以上波長的量子效率(quantum efficiency)、減少干涉現象(etaloning)，提升讀出速度及敏感度。
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另外，近年業界亦有號稱，敏感度最佳的電子倍增(Electron Multiplication；EM)結構CCD元件技術，簡稱EMCCD。像是e2vTechnologies、德儀(TI)等廠商都推出速度更快、且能提供亞電子(sub-electron)讀出雜訊性能的感測器，而安森美半導體(ON Semiconductor)也研發出新型高解析度EMCCD感測器。
Princeton Instruments近期推出一款高速EMCCD相機，EMCCD感測器透過影像增強器(image intensifier)，更可改善線性化(linearity) ，並具單一光子(photon)敏感度，成像速度高達10，000fps。不過，儘管這樣的EMCCD具單一光子敏感度，在全解析度之下仍比不上CMOS感光元件的畫面更新率。
光譜儀業者Horiba Scientific發現，過去光學與成像技術，利基市場的需求漸漸增加，目前已在許多領域成為標準。Horiba Scientific經理指出，過去常用來作為研究工具與方法的技術，現在已有較一般性的用途，例如品質控管等等。
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由於高效率偵測的需求愈來愈大，也愈來愈多人采CCD提供的多工陣列偵查(multiplexing array detection)取代傳統的單管道偵測器(single-channel
detector)，廠商也挹注大量資源改善動態範圍(intrascenic dynamic range)技術，成為CCD感測器發展的驅力之一。
而若客戶要求加快讀取時間又不犧牲敏感度，則可採用時間延滯集成(TDI)CCD感測器，這是較早期的CMOS感測器版本，無法取代的CCD關鍵技術。
TDI技術常見於產業與遠端感測應用，可在高速成像的條件之下提升訊雜比(Signal-to-Noise Ratio；SNR)。TDI感測器可將不同時間分點的感光訊號集成起來，以達最佳雜訊效能。
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