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[摘要]固態硬碟資料傳輸速度更快，能耗更低，但目前固態硬碟的容量最高約為4TB。閃迪和英特爾分別計畫，將容量提高至8GB和10GB。
由於使用者有大量照片、影片、應用和音訊需要儲存，智慧手機的儲存空間總是不夠用。考慮到這一問題，英特爾在研究在不影響設備尺寸和價格的情況下，提升行動設備和PC儲存容量的新技術。
據PCWorld網站報導，英特爾正在研究的一項技術是，在1個儲存單元中，儲存更多比特的資訊，把行動設備和PC的儲存容量增加3倍。英特爾正在嘗試在一個儲存單元中，儲存4 bit資訊。
英特爾非揮發儲存解決方案部門戰略規劃和行銷副總裁李仁基(Bill Leszinske) ，在一封電子郵件中說，“這可能促使大量行動和運算設備，使用儲存密度更高的存放裝置。”
使用者對儲存容量的需求，是無止境的。應用和作業系統越來越大，4K影像即將成為主流，感測器和其他資料來源，生成的資料在不斷增多。因此，行動設備和PC廠商在不斷試圖提高設備中，快閃記憶體盤和固態硬碟的儲存容量。
通過在1個儲存單元中，儲存4 bit資訊——英特爾稱之為QLC的技術，標準2.5英寸固態硬碟的儲存容量，可以增長至逾10TB。PCWorld表示，英特爾稱QLC仍然處於研發階段，沒有披露推出採用QLC技術的快閃記憶體晶片的時間表。
與傳統硬碟相比，固態硬碟資料傳輸速度更快，能耗更低，但目前固態硬碟的容量最高約為4TB。閃迪計畫銷售儲存容量為8TB的固態硬碟——與希捷最高容量的硬碟相當。英特爾曾表示，利用上周與美光公佈的新型TLC快閃記憶體晶片，該公司將能把固態硬碟儲存容量提高至10TB。
市場研究公司Objective Analysis分析師吉姆·漢迪(Jim
Handy)指出，未來10年，快閃記憶體可能被新興的儲存技術所取代，例如MRAM (磁阻記憶體)、PCM(相變記憶體)和RRAM(阻變式記憶體)。
英特爾在一個儲存單元中，儲存4 bit資訊的能力，依賴於它通過其最新的3D NAND製造技術，縮小快閃記憶體晶片尺寸的能力。這一技術允許儲存單元，像摩天大樓那樣垂直疊加，提供更高的儲存容量。
大多數固態硬碟都採用SLC(每個儲存單元儲存1 bit資訊) ，或MLC(每個儲存單元儲存2bit資訊)快閃記憶體晶片。在1個儲存單元中儲存3
bit資訊，就已經是一個足夠大的挑戰了，漢迪對在1個儲存單元中儲存4 bit資訊持懷疑態度，稱這一技術可能會造成固態硬碟出現更多資料讀寫錯誤。
每次在一個儲存單元中增加1bit資訊，干擾就會增加一分，辨識儲存單元中資料的難度也會提高。
這並非一家公司首次嘗試在1個bit單元中，儲存4 bit資訊。近10年前，M-Systems曾進行相同的嘗試，可惜沒有成功。M-Systems於2006年被閃迪收購。
另外，受成本影響，在1個儲存單元儲存4 bit資訊的意義並不大。據漢迪估計，在1個儲存單元儲存2 bit資訊，可能把快閃記憶體晶片成本削減一半；在1個儲存單元儲存3 bit資訊，可以把快閃記憶體晶片成本削減30%；如果把4 bit資訊“塞進”1個儲存單元，快閃記憶體晶片成本降幅會收窄至15%。
但李仁基仍然對英特爾在QLC技術方面的機會，持謹慎樂觀態度，稱英特爾的3D NAND技術能使QLC成為“一個真正的機會”。
來源：PCWorld
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