騰訊數碼 水藍
內置20億個電晶體（是A7的兩倍），並採用了台積電的20納米制程。
隨著專業拆解機構iFixit對蘋果iPhone 6和iPhone 6 Plus的完全拆解，新一代iPhone的內部構造已經大白於天下。而現在，
ChipWorks專業網站則又照例開始了他們對iPhone 6和iPhone 6 Plus內部晶片的剖析圖，並為我們逐一解密了兩款iPhone 6所使用的晶片型號和特色。
NFC晶片揭秘
NFC功能是此次兩款iPhone 6加入的新功能，並且從此次拆解的圖片來看，確實是採用了NXP的方案。至於晶片表面上的編號“65V10”，則可以完全確定是NXP PN548，據稱是NXP專為蘋果設計的型號。同時從內核上的編號來看，這塊晶片在2012年便已經設計完成，而且在第二層模具上方出現了一些神秘的密集金屬層，但是否為NFC晶片的安全元素裝置，目前還沒有確切的資訊。
不過，此次兩款iPhone 6的加速計和陀螺儀並未如過去那樣採用法半導體的晶片，而是使用了InvenSense公司的解決方案，具體的型號為MP67B。此外，兩款iPhone 6並未發現電子羅盤，並且蘋果似乎採用了兩個加速計。具體來說，就是在InvenSense
MPU7感測器旁邊還裝載了一個2×2毫米的博士感測器，但目前同樣不清楚蘋果此舉的目的所在。
A8處理器
而在大家最關注的處理器方面，兩款iPhone 6所採用的A8晶片按照官方的說法，內置20億個電晶體（是A7的兩倍），並採用了台積電的20納米制程，但體積大小要比A7晶片縮小了13%。同時A8晶片在CPU處理速度圖形性能上都有大幅的提升，並且能耗方面的表現也較之A7有50%的降低。
與以往iPhone的SOC部分一樣，兩款iPhone 6也是由處理器、記憶體PoP封裝在一起，上面為記憶體，下面則為A8晶片。而從拆解後得到的資訊來看，A8的零件編號為APL 1011，改變了以往“98”為尾碼的傳統模式（A4 APL0398、A5 APL0498、A6 APL0598、A7 APL0698）。而封裝在上面部分的DRAM確實為1GB，整個晶片的日期代碼為1434，所代表的含義是今年八月份製造出品。除此之外，由於A8晶片的晶片的圖形處理能力增強，產生的熱量更多，所以此次採用了三排焊接技術。
iSight和FaceTime 攝影模組
而攝影鏡頭模組方面，此次iPhone 6 和iPhone 6
Plus所配的800萬像素iSight攝影鏡頭存在一定的差異，但都採用相位檢測自動對焦（AF）系統，據稱自動對焦速度要比上一代快兩倍，並且還能夠錄製30/60fps的1080p影像，甚至慢速錄影能達到240幀。此外，iPhone 6 Plus還添加了光學圖像穩定（OIS）系統，其攝影鏡頭模組的尺寸為10.6×9.3×5.6毫米，由索尼製造，採用
Exmor RS背照式CMOS圖像感測器，具有1.5µm的像素面積，感測器部分的尺寸為4.8×6.1mm。
不過，兩款iPhone 6的FaceTime攝影機仍然為120萬像素，但鏡頭光圈增大了，可增加80%的進光量。至於其他晶片方面，iPhone 6和iPhone 6 Plus都採用的是德州儀器DRV2604觸覺驅動器，也就是俗稱的振動馬達。而兩款機型上所使用的高通包絡追蹤晶片QFE1100則已經有超過16款機型採用，其中還包括三星GALAXY系列。
沒有留言:
張貼留言